RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3344
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link