RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2919
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link