RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2867
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link