RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
77
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2946
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link