RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3772
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link