RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3825
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link