RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3488
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link