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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3208
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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