RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2486
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link