RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Jinyu 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Jinyu 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Jinyu 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
77
Rund um -267% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3209
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Jinyu 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link