RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2494
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link