RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
77
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
6.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2125
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link