RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2071
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link