RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
61
77
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2671
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link