RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
77
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2560
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link