RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
77
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3119
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link