RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link