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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
77
Rund um -285% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3619
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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