RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
77
Rund um -285% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3127
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link