RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
77
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
6.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1616
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link