RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
77
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2927
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link