RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
72
77
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1817
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link