RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
77
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2780
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link