RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
77
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2595
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link