RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2686
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link