RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3326
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
UMAX Technology 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link