Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Gesamtnote
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Unterschiede

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 25
    Rund um -14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 13.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 13.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3419 left arrow 3139
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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