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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
25
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2503
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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