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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
AMD R7416G2133U2S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
78
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
1594
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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