RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против AMD R7416G2133U2S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
AMD R7416G2133U2S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
78
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
78
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.3
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1594
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link