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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R7416G2133U2S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
78
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
78
Velocità di lettura, GB/s
15.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
1594
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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AMD R7416G2133U2S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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