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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
36
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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