RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3260
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link