RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3242
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1333C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link