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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3242
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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