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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
36
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
35
読み出し速度、GB/s
15.0
16.2
書き込み速度、GB/秒
10.3
12.5
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3242
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAMの比較
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