RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
11.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2864
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link