RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 43
    周辺 16% 低遅延
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2569 left arrow 2864

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAMの比較

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
メモリRAM
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM