RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
54
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2938
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link