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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
54
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
54
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
14.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2938
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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