RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
54
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2938
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link