RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
39
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2952
2419
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link