RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.9
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2952
2419
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link