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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
39
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2952
2419
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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