RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2307
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link