RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de -6% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2307
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link