RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2307
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link