RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2601
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link