RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2601
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link