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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2601
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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